04.08.2015, 20:30
(04.08.2015, 19:08)armybean schrieb: Sorry, wenn ich das jetzt noch mal hoch hole...
Ich habe gerade mal gemessen. Im Ausgangszustand liegen zwischen SAR1 und GND 3,3 V an. Wenn der Taster gedrückt wird, geht es auf 0,6 V runter.
Könnte man es in etwa so realisieren wie in dem angehängten Bild? Der Widerstand ist mit 220 Ohm der gleiche wie auf bereits vorhandenen Button-Platine. So lange also an dem GPIO-Pin die 3,3 V anliegen, müsste alles ok sein (Button in Ausgangsposition) und wenn am GPIO dann Low anliegt (keine Spannung), müsste doch der Stromkreis über den Widerstand geschlossen werden und damit das Drücken des Schalters simuliert werden, oder?
Sorry, ich kam bis jetzt leider nicht dazu, eine Schaltung zu zeichnen.
Aber so wie du das auf dem Bild hast, sollte es funktionieren. Ich würde aber den Emitter direkt auf GND hängen und den Kollektor über den Widerstand auf SAR1 Den Widerstand musst du evtl anpassen, da der Transistor noch Verluste hat, aber das muss man dann messen.
Als Transistor würde ich gleich einen nehmen, der den Basiswiderstand integriert hat. Wir verwenden häufig den BCR135. Dieser ist zwar SMD, aber findest bestimmt auch einen konventionellen Transistor mit integrierten Widerständen.
Ein NPN Transistor wird leitend, sobald an Basis zu Emitter ca 0.6V anliegen. Das heisst, wenn du den Taster so simulieren willst, musst du den GPIO Ausgang auf 3.3V legen. Wenn dieser 0V ist, sperrt der Transistor und es liegen wieder 3.3V an SAR1 an.
